Nanočástice jsou využitelné i v zapisování a uchovávání informací

Mnoho společností, včetně skupiny NANO CHEMI GROUP, se snaží vyvinout produkt, který využívá energeticky nezávislou paměť RAM NRAM, provádějící přepisování tisíckrát rychleji a která zvládne tisíckrát více přepisovacích cyklů než vestavěná paměť flash.

V současné době existuje několik výrobních technologií:

RAM: Random Access Memory (zkratka RAM), také Random Access Memory (zkratka RAM; Random Access Memory, RAM) je jeden typ počítačové paměti, který umožňuje přístup k libovolné buňce najednou bez ohledu na místo na adrese pro čtení nebo zápis.

MRAM: Magnetorezistivní paměť s náhodným přístupem (MRAM - anglická magnetorezistivní paměť s náhodným přístupem) je paměť s náhodným přístupem založená na spinových bránách. Ukládá informace pomocí magnetických momentů, nikoli elektrických nábojů.

Výhodou tohoto typu paměti je nestabilita, tj. schopnost ukládat zaznamenané informace v nepřítomnosti externího napájení.

PRAM: Paměť s fázovou změnou (paměť založená na fázovém přechodu, známá také jako PCM, PRAM, PCRAM, Ovonická unifikovaná paměť, Chalkogenidová RAM, C-RAM) je typ energeticky nezávislé paměti založený na chalkogenidovém chování, který může při zahřátí „přepínat“ mezi dvěma stavy: krystalický a amorfní. V nejnovějších verzích se podařilo efektivně zdvojnásobit informační kapacitu čipů. Tato technologie je považována za jednu z konkurentů flash paměti a poskytuje řešení řady nepřekonatelných problémů.

FRAM: Ferroelektrická RAM (Ferroelectric RAM, FeRAM nebo FRAM [1]) je RAM, která je podobná DRAM, ale používá vrstvu feroelektrické namísto dielektrické vrstvy, aby byla zajištěna nestálost. FRAM je jedním z rostoucího počtu alternativních technologií energeticky nezávislé paměti, které nabízejí stejnou funkčnost jako paměť flash.

NANO-RAM: jedná se o proprietární počítačovou paměťovou technologii, ve skutečnosti jde o typ energeticky nezávislé paměti založené na mechanickém umístění uhlíkových nanotrubek umístěných na čipovém substrátu. Malá velikost nanotrubek umožní dosáhnout velmi vysoké hustoty umístění paměti. V existující praxi se používá označení NRAM.

Technologie NRAM je založena na velmi dobře známém účinku uhlíkových nanotrubic, když se protínající nano trubice na rovném povrchu mohou buď dotýkat, nebo mohou být odděleny ve svislém směru (vzhledem ke substrátu) v důsledku van der Waalsovy atrakce.

Použití tohoto mechanismu jako paměti umožňuje skutečnost, že v obou polohách jsou nano trubice stabilní. Tyto polohy jsou poměrně odolné vůči vnějším vlivům, jako je záření, které může vymazat nebo poškodit data v běžné paměti DRAM.

NRAM je jedním z mnoha nových paměťových systémů, z nichž většina je označována jako „univerzální“, a které podobně jako NRAM slibují nahradit vše z flash paměti na DRAM a SRAM.

Dnes NANO CHEMI GROUP, disponující uhlíkovými nano trubicemi, aktivně jedná s několika výzkumnými centry, aby pokračovala ve výzkumu v této oblasti.